Транзистор IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Самару

33,00 руб.

Артикул: 1125966 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	33,00руб.	30,69руб.	29,70руб.	29,04руб.	27,06руб.	26,40руб.	25,74руб.	23,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	59,73руб.	54,78руб.	53,79руб.	52,47руб.	48,84руб.	47,85руб.	46,53руб.	41,91руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	77,22руб.	71,28руб.	69,63руб.	67,98руб.	63,36руб.	61,71руб.	60,39руб.	54,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	39,60руб.	36,30руб.	35,64руб.	34,65руб.	32,34руб.	31,68руб.	30,69руб.	27,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	76,23руб.	70,29руб.	68,64руб.	66,99руб.	65,01руб.	62,70руб.	59,40руб.	53,46руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]The IRF7311PBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated