2

Транзистор IRF7319PBF, Транзисто, N/P-каналы 30B 6.5A/-4.9А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Самару

32,00 руб.

x 32,00 = 32,00
Артикул: 1125971 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней32,00руб.29,76руб.28,80руб.28,16руб.26,24руб.25,60руб.24,96руб.23,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней57,92руб.53,12руб.52,16руб.50,88руб.47,36руб.46,40руб.45,12руб.40,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней74,88руб.69,12руб.67,52руб.65,92руб.61,44руб.59,84руб.58,56руб.52,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней38,40руб.35,20руб.34,56руб.33,60руб.31,36руб.30,72руб.29,76руб.26,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней73,92руб.68,16руб.66,56руб.64,96руб.63,04руб.60,80руб.57,60руб.51,84руб.

Характеристики

IRF7319PBF, Транзисто, N/P-каналы 30B 6.5A/-4.9А [SO-8]The IRF7319PBF is a 30V dual N-channel and P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Surface mount
• Fully avalanche rated
• Dynamic dV/dt rating

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n/p-канал