IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]

Поставка электронных компонентов в Самару

17,00 руб.

Артикул: 1126266 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	17,00руб.	15,81руб.	15,30руб.	14,96руб.	13,94руб.	13,60руб.	13,26руб.	12,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	30,77руб.	28,22руб.	27,71руб.	27,03руб.	25,16руб.	24,65руб.	23,97руб.	21,59руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	39,78руб.	36,72руб.	35,87руб.	35,02руб.	32,64руб.	31,79руб.	31,11руб.	27,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	20,40руб.	18,70руб.	18,36руб.	17,85руб.	16,66руб.	16,32руб.	15,81руб.	14,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	39,27руб.	36,21руб.	35,36руб.	34,51руб.	33,49руб.	32,30руб.	30,60руб.	27,54руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6]The IRFTS8342TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Industry standard pin-out