11

BSH103.215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [SOT-23-3]

Поставка электронных компонентов в Самару

7,00 руб.

x 7,00 = 7,00
Артикул: 1126570 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней7,00руб.6,51руб.6,30руб.6,16руб.5,74руб.5,60руб.5,46руб.5,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней12,67руб.11,62руб.11,41руб.11,13руб.10,36руб.10,15руб.9,87руб.8,89руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней16,38руб.15,12руб.14,77руб.14,42руб.13,44руб.13,09руб.12,81руб.11,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней8,40руб.7,70руб.7,56руб.7,35руб.6,86руб.6,72руб.6,51руб.5,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней16,17руб.14,91руб.14,56руб.14,21руб.13,79руб.13,30руб.12,60руб.11,34руб.

Характеристики

BSH103.215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [SOT-23-3]The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.

• Suitable for use with all 5V logic families
• Suitable for very low gate drive sources
• Drain to source voltage (Vds) of 30V
• Gate to source voltage of ±8V
• Drain current (Id) of 850mA
• Power dissipation (Pd) of 750mW
• Operating junction temperature range from -55 C to 150 C

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

n-канал