IRF9610PBF, Транзистор, P-канал 200В 1.8А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Самару

31,00 руб.

Артикул: 1126685 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	31,00руб.	28,83руб.	27,90руб.	27,28руб.	25,42руб.	24,80руб.	24,18руб.	22,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	56,11руб.	51,46руб.	50,53руб.	49,29руб.	45,88руб.	44,95руб.	43,71руб.	39,37руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	72,54руб.	66,96руб.	65,41руб.	63,86руб.	59,52руб.	57,97руб.	56,73руб.	50,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	37,20руб.	34,10руб.	33,48руб.	32,55руб.	30,38руб.	29,76руб.	28,83руб.	26,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	71,61руб.	66,03руб.	64,48руб.	62,93руб.	61,07руб.	58,90руб.	55,80руб.	50,22руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF9610PBF, Транзистор, P-канал 200В 1.8А [TO-220AB]The IRF9610PBF is a -200V P-channel Power MOSFET uses advanced HEXFET technology. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• 150 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement