26

STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом

Поставка электронных компонентов в Самару

230,00 руб.

x 230,00 = 230,00
Артикул: 1126842 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней230,00руб.213,90руб.207,00руб.202,40руб.195,50руб.184,00руб.179,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней432,40руб.397,90руб.391,00руб.381,80руб.368,00руб.347,30руб.338,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней439,30руб.404,80руб.395,60руб.386,40руб.368,00руб.349,60руб.342,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней276,00руб.253,00руб.248,40руб.241,50руб.234,60руб.220,80руб.213,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней400,20руб.368,00руб.358,80руб.351,90руб.340,40руб.319,70руб.310,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней250,70руб.232,30руб.225,40руб.220,80руб.213,90руб.200,10руб.195,50руб.

Характеристики

STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом The STF21NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• Worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode devices
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Дополнительная информация

Корпус

to220fp
Структура

n-канал