Заполнитель

NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]

Поставка электронных компонентов в Самару

530,00 руб.

x 530,00 = 530,00
Артикул: 1128979 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней530,00руб.492,90руб.477,00руб.466,40руб.450,50руб.424,00руб.413,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней996,40руб.916,90руб.901,00руб.879,80руб.848,00руб.800,30руб.779,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.012,30руб.932,80руб.911,60руб.890,40руб.848,00руб.805,60руб.789,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней636,00руб.583,00руб.572,40руб.556,50руб.540,60руб.508,80руб.492,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней922,20руб.848,00руб.826,80руб.810,90руб.784,40руб.736,70руб.715,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней577,70руб.535,30руб.519,40руб.508,80руб.492,90руб.461,10руб.450,50руб.

Характеристики

NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]The NGTG50N60FWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss.

• Optimized for very low collector-to-emitter saturation voltage
• Low switching loss
• Reduces system power dissipation
• 5µs Short-circuit capability