MJD45H11TM, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц

Поставка электронных компонентов в Самару

91,00 руб.

Артикул: 1129939 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	91,00руб.	84,63руб.	81,90руб.	80,08руб.	74,62руб.	72,80руб.	70,98руб.	65,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	164,71руб.	151,06руб.	148,33руб.	144,69руб.	134,68руб.	131,95руб.	128,31руб.	115,57руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	212,94руб.	196,56руб.	192,01руб.	187,46руб.	174,72руб.	170,17руб.	166,53руб.	149,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	109,20руб.	100,10руб.	98,28руб.	95,55руб.	89,18руб.	87,36руб.	84,63руб.	76,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	210,21руб.	193,83руб.	189,28руб.	184,73руб.	179,27руб.	172,90руб.	163,80руб.	147,42руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MJD45H11TM, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц The MJD45H11TM is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching (such as output or driver stages) applications.

• Lead formed for surface-mount application
• Low collector emitter saturation voltage
• Fast switching speeds

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	-80В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	1.75Вт
Полярность Транзистора	pnp
DC Ток Коллектора	-8А
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Частота Перехода ft	40МГц