BSC350N20NSFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 200 В

Поставка электронных компонентов в Самару

340,00 руб.

Артикул: 1133497 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	340,00руб.	316,20руб.	306,00руб.	299,20руб.	289,00руб.	272,00руб.	265,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	639,20руб.	588,20руб.	578,00руб.	564,40руб.	544,00руб.	513,40руб.	499,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	649,40руб.	598,40руб.	584,80руб.	571,20руб.	544,00руб.	516,80руб.	506,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	408,00руб.	374,00руб.	367,20руб.	357,00руб.	346,80руб.	326,40руб.	316,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	591,60руб.	544,00руб.	530,40руб.	520,20руб.	503,20руб.	472,60руб.	459,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	370,60руб.	343,40руб.	333,20руб.	326,40руб.	316,20руб.	295,80руб.	289,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BSC350N20NSFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 200 В The BSC350N20NSFDATMA1 from Infineon is a 200V OptiMOST™3 N-channel power-MOSFET in 8 pin TDSON package. This new OptiMOS™ Fast Diode (FD) Infineon’s latest generation power MOSFETs are optimized for body diode hard commutation, hard switching behaviour, industry’s lowest Rds(on), Qg and Qrr, highest system reliability, system cost reduction, highest efficiency and power density and easy to design products. It is a perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control for 48V to 110V systems and DC to AC inverter.

• Excellent gate charge x RDS(on) product (figure of merit)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
• Drain source voltage VDS is 200V
• Maximum RDS(on) is 35mohm, continuous drain current ID is 35A
• Operating temperature range from -55 C to 175 C
• Power dissipation is 150W
• Maximum gate source voltage VGS is 20V

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TDSON
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	200В
Непрерывный Ток Стока	35А