804

FQPF2N60C, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.7 Ом, 10 В, 4 В

Поставка электронных компонентов в Самару

96,00 руб.

x 96,00 = 96,00
Артикул: 1132187 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней96,00руб.89,28руб.86,40руб.84,48руб.78,72руб.76,80руб.74,88руб.69,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней173,76руб.159,36руб.156,48руб.152,64руб.142,08руб.139,20руб.135,36руб.121,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней224,64руб.207,36руб.202,56руб.197,76руб.184,32руб.179,52руб.175,68руб.157,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней115,20руб.105,60руб.103,68руб.100,80руб.94,08руб.92,16руб.89,28руб.80,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней221,76руб.204,48руб.199,68руб.194,88руб.189,12руб.182,40руб.172,80руб.155,52руб.

Характеристики

FQPF2N60C, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.7 Ом, 10 В, 4 ВThe FQPF2N60C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (8.5nC)
• Low Crss (4.3pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220F
Рассеиваемая Мощность

23Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

2А