Заполнитель

FQT5P10TF, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -100 В, 820 мОм

Поставка электронных компонентов в Самару

55,00 руб.

x 55,00 = 55,00
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней55,00руб.51,15руб.49,50руб.48,40руб.45,10руб.44,00руб.42,90руб.39,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней99,55руб.91,30руб.89,65руб.87,45руб.81,40руб.79,75руб.77,55руб.69,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней128,70руб.118,80руб.116,05руб.113,30руб.105,60руб.102,85руб.100,65руб.90,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней66,00руб.60,50руб.59,40руб.57,75руб.53,90руб.52,80руб.51,15руб.46,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней127,05руб.117,15руб.114,40руб.111,65руб.108,35руб.104,50руб.99,00руб.89,10руб.

Характеристики

FQT5P10TF, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -100 В, 820 мОм The FQT5P10TF is a -100V P-channel QFET® MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.

• Low gate charge (typical 6.3nC)
• Low Crss (typical 18pF)
• 100% Avalanche tested
• ±30V Gate to source voltage
• 62.5 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

2Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-100В

Непрерывный Ток Стока

-1А