e675aa3d3d3ff8cf97eee6167b76a9c4

IPS80R750P7AKMA1, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 800 В

Поставка электронных компонентов в Самару

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

IPS80R750P7AKMA1, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 800 В The 800V CoolMOS™ P7 N-channel power MOSFETs from Infineon are highly efficient MOSFETs with best-in-class RDS(on)/package. These MOSFETs set a new benchmark in efficiency and thermal performance. The 800V CoolMOS™ P7 product families have been developed for flyback based low power SMPS applications including adapter and charger, lighting, audio SMPS, AUX and industrial power. Designed to address typical challenges in the various applications by delivering best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use, making them a perfect fit for target applications. These product family offers 0.1% to 0.6% efficiency gain and 2 C to 8 C lower MOSFET temperature as compared to 800V CoolMOS™ C3 tested in flyback based applications. Such best in class performance comes from a combination of various optimized device parameters such as more than 50% reduction in switching losses (Eoss) and gate charge (Qg) and reduced input capacitance (Ciss) and output capacitance (C

• Best in class FOM (Figure Of Merit) RDS(on) * Eoss (switching losses)
• Best in class DPAK RDS(on) of 280mohm
• Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs
• Best in class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
• Easy to drive and to design-in
• Class 1C (HBM), class 2 (HBM), class C3 (CDM) integrated zener diode ESD protection
• Better production yield by reducing ESD related failures
• Best in class quality and reliability
• Fully optimized portfolio, easy to select right parts for fine tuning of designs
• Ease of use is an intrinsic feature designed into this product family

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251

Рассеиваемая Мощность

51Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

800В

Непрерывный Ток Стока