61

IRFU4105ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 30А [I-PAK]

Поставка электронных компонентов в Самару

44,00 руб.

x 44,00 = 44,00
Артикул: 1126273 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней44,00руб.40,92руб.39,60руб.38,72руб.36,08руб.35,20руб.34,32руб.31,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней79,64руб.73,04руб.71,72руб.69,96руб.65,12руб.63,80руб.62,04руб.55,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней102,96руб.95,04руб.92,84руб.90,64руб.84,48руб.82,28руб.80,52руб.72,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней52,80руб.48,40руб.47,52руб.46,20руб.43,12руб.42,24руб.40,92руб.36,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней101,64руб.93,72руб.91,52руб.89,32руб.86,68руб.83,60руб.79,20руб.71,28руб.

Характеристики

IRFU4105ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 30А [I-PAK]The IRFU4105ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

ipak
Структура

n-канал