Транзистор IRFZ44ZSPBF, Nкан 55В 51А [TO-263]

Поставка электронных компонентов в Самару

88,00 руб.

Артикул: 1127262 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	88,00руб.	81,84руб.	79,20руб.	77,44руб.	72,16руб.	70,40руб.	68,64руб.	63,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	159,28руб.	146,08руб.	143,44руб.	139,92руб.	130,24руб.	127,60руб.	124,08руб.	111,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	205,92руб.	190,08руб.	185,68руб.	181,28руб.	168,96руб.	164,56руб.	161,04руб.	144,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	105,60руб.	96,80руб.	95,04руб.	92,40руб.	86,24руб.	84,48руб.	81,84руб.	73,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	203,28руб.	187,44руб.	183,04руб.	178,64руб.	173,36руб.	167,20руб.	158,40руб.	142,56руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFZ44ZSPBF, Nкан 55В 51А [TO-263]The IRFZ44ZSPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax