IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Самару

31,00 руб.

Артикул: 1126419 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	31,00руб.	28,83руб.	27,90руб.	27,28руб.	25,42руб.	24,80руб.	24,18руб.	22,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	56,11руб.	51,46руб.	50,53руб.	49,29руб.	45,88руб.	44,95руб.	43,71руб.	39,37руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	72,54руб.	66,96руб.	65,41руб.	63,86руб.	59,52руб.	57,97руб.	56,73руб.	50,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	37,20руб.	34,10руб.	33,48руб.	32,55руб.	30,38руб.	29,76руб.	28,83руб.	26,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	71,61руб.	66,03руб.	64,48руб.	62,93руб.	61,07руб.	58,90руб.	55,80руб.	50,22руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]The IRLZ34NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Advanced process technology