47

TIP142G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 500 hFE

Поставка электронных компонентов в Самару

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
Сроки поставки выбранного компонента в Самару уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

TIP142G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 500 hFEThe TIP142G is a 100V NPN complementary silicon Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. It has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor. The TIP142 (NPN) and TIP147 (PNP) are complementary devices.

• High DC current gain
• 100VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO (sus))
• 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 1 C/W Thermal resistance, junction to case
• 35.7 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

125Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

10а

DC Усиление Тока hFE

500hFE